中文大學校刊 一九九七年秋‧冬

硏究計劃簡介 新法研製 金屬硅化物 追求更小更快的微型電路 集成電路數十年來不斷演進，令致電腦 設施、電訊業、電子消費品、電子工業及其 他科技有長足進展，並顯著提高了人類的生 活質素。 集成電路內部器件之間，以及集成電路 與外界的聯繫，全靠一些金屬或具金屬性電 導特性的薄層來傳輸電流訊號。製作這些金 屬或類金屬薄層的過程，術語叫「金屬化」過 程。當器件體積縮小至深次微米範疇時，這 些導電薄層的電阻便主宰了集成電路的運作 速度。電阻愈小，電流訊號的延遲便愈短， 集成電路的速度也便愈快；而電阻愈小，熱 耗散也愈小，器件可以更緊密排列，集成電 路的體積也得以縮小。 所以，如果要使超大規模集成電路的器 件繼續變小及運作得更快，必須繼讀硏究改 進集成電路的金屬化技術。電子工程學系黃 世平敎授和魏爾遜敎授(Prof.I.H. Wilson)於 一九九四年獲研究資助局撥款五十六萬八千 中文大學校刊 一九九七年秋•冬 26