中文大學校刊 一九九七年秋‧冬

研究計劃簡介 圖二：硅晶片受高劑量鈷注入後，在原子力顯微術顯示下的表面形貌。鈷離子的金屬蒸汽眞空弧注入條件如下：引出電 壓爲70千伏；劑量爲每平方厘米2X10 17 離子；襯底溫度爲(a)攝氏二百一十度，(b)攝氏七百六十度。 鈷的室溫電阻率最低，而且它與硅的晶格失 配百分率只有-1.2，可在硅表面形成優質外 延層。研究小組採用金屬蒸汽眞空弧注入法 製造二硅化鈷，並利用原子力顯微術、剖面 透射電子顯微術、盧瑟福背散射譜、X光衍 射、橢偏光譜、電阻抗測量和霍爾效應測量 等分析技巧，研究二硅化鈷層在不同條件下 的形成過程和特性。 他們的實驗顯示，經適當的熱處理後， 可在硅內形成一層連續的單晶二硅化鈷埋 層。他們隨而仔細研究在不同的形成條件 下，該二桂化鈷埋層的結構和電學特性。 採用嶄新的金屬蒸汽眞空弧離子源方法，研 究人員可深入探究金屬硅化物的離子束合 成。黃敎授說：「若採用傳統的離子注入 法，這些研究並非不可能，但事實是很困 難，因爲要求的注入劑量很高，做一個小樣 品也要花很長時間。」 黃世平教授在香港中文大學攻讀物理，先後取得理學 士、哲學碩士和哲學博士學位。黃教授於一九八五年加入 中大電子學系（現稱電子工程學系）任講師，一九九二年 晉升爲高級講師。黃教授的研究興趣爲電子材料和科技， 尤其與離子注入法相關者。他是美國材料科學研究學會會 員，也是新成立的香港材料科學研究學會的創會董事。 魏爾通教授早年於英國雷定大學攻讀物理，一九六二 年獲理學士學位，六六年獲哲學博士學位。魏教授於一九 九一年受聘爲香港中文大學電子工程學講座教授，此前爲 美國亞利桑那州立大學物理系客座教授。他近年的研究興 趣爲導電薄膜、電子材料，以及用取向附生和離子注入法 製造新器件。魏教授是物理學會會員及特許工程師，以及 新成立的香港材料科學研究學會創會會長。 中文大學校刊 一九九七年秋•冬 28